日前，2018年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。北京大学沈波教授团队的“氮化物半导体大失配异质外延技术”，获得国家技术发明二等奖。记者昨日了解到，沈波教授系扬州中学校友，去年10月，他返回母校作了讲座。

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　　关键技术达到国际领先水平

　　沈波，1963年7月出生于扬州，1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位；1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位；1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所，获博士学位。现任职北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心，教授、博士生导师、长江学者、国家杰出青年基金获得者。

　　沈波教授团队“氮化物半导体大失配异质外延技术”，解决的是氮化物半导体外延制备问题，这是氮化物宽禁带半导体器件和系统的基础核心技术。据介绍，氮化物宽禁带半导体是实现短波长发光器件和高频大功率电子器件的核心半导体体系，在半导体照明、新一代移动通讯、国防军工等领域有重大应用，是全球高技术竞争和战略性新兴产业发展的关键领域。

　　沈波教授团队发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料，建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系，并实现了产业化应用。

　　该技术赢得了国际同行的高度评价，包括诺贝尔奖获得者在内的多位该领域国际知名学者给予了引用或高度评价。中国电子学会对此技术点评：“该项目成果技术创新特色突出，关键技术达到国际领先水平。”

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　　去年回到母校作讲座

　　记者昨天从扬州中学获悉，沈波教授与母校联系密切。2018年10月12日，沈波教授曾回到扬州中学开设讲座。

　　讲座中，沈波教授回顾了他在母校的学习经历，讲述了母校对他的精神影响与人文熏陶。沈波教授着重介绍了半个世纪以来对半导体技术的探索历程，分析了诺贝尔物理奖和半导体技术之间密不可分的联系以及半导体技术在日常生活中的广泛应用。其中，宽禁带、半导体异质结构等高端概念，开拓了同学们的眼界，为同学们打开了通往半导体世界的大门，触摸到了当今物理学研究的最前沿。

　　讲座的最后，沈波教授紧密结合北京大学物理学发展史，为中学生的物理学习与创新思维培养提供了自己的意见，并激励师弟师妹们努力学习，迈进名校。

　　参加讲座的学生们表示，整场报告贴近生活实际而又高于日常经验，现场互动频频。沈波教授提出的“中国年发电量”等问题，引来同学们积极的发言，而“电容器的本质”等问题，则引起了同学们对陌生事物的浓烈兴趣。

　　本报记者刘冠霖楚楚