新华报业·中国江苏网讯 为深入贯彻国家半导体产业自主可控战略，强化产学研协同创新效能，攻克高端半导体装备“卡脖子”核心技术，5月21日上午，南理工-苏州源拓真空技术有限公司联合实验室揭牌仪式在园区隆重举行。江北新区智能制造产业发展管理办公室党工委书记、管办主任徐韬，管办副主任张毛，苏州源拓真空技术有限公司董事长叶育州、董事长助理王浩，南京理工大学/南京含能材料产业技术创新院常务副主任、院长易文斌及相关负责人出席仪式，共同见证园区产学研协同创新迈出关键一步。

易文斌在仪式上介绍了含能材料创新院的科研积淀与平台优势，强调此次校企合作是打通科研成果转化“最后一公里”的重要探索，期待双方以联合实验室为载体，聚焦半导体高端装备领域，携手攻克技术难题、共促产业升级。

叶育州在致辞中分享了源拓真空深耕半导体核心设备国产化的初心与成果。作为国内半导体真空薄膜沉积装备领域的头部企业，公司成功打破外资长期垄断，核心技术达到国际先进水平。他表示，将依托南理工的科研资源，加速技术迭代与产品创新，助力我国半导体装备实现自主可控。

徐韬在致辞中首先对联合实验室的揭牌成立表示热烈祝贺。他指出，园区锚定集成电路制造、新材料等重点赛道，持续构建高能级科创生态。此次南理工与源拓真空强强联合，是园区“研产贯通”战略的生动实践。园区将持续优化营商环境，在政策申报、人才引育、要素保障等方面提供全链条服务，全力支持实验室建设运营，推动创新成果快速落地见效。

在全场嘉宾的共同见证下，现场举行揭牌仪式并合影留念，联合实验室正式启用。仪式结束后，与会嘉宾一同参观含能材料创新院，实地了解园区科创平台建设、技术研发及成果转化情况。

据悉，源拓真空作为2024年成立的半导体装备新锐企业，自诞生之初便锚定“突破海外垄断、实现核心装备自主可控”的核心使命，深耕半导体真空薄膜沉积装备赛道，全力攻坚关键核心技术。企业核心团队深耕行业数十年，凭借深厚技术积淀与极致创新精神，在短时间内实现跨越式突破：国内晶圆镀膜国产设备首次成功验证，核心性能指标超越进口同类产品，成为国内首家真正实现半导体核心制程薄膜沉积设备国产化的企业，并已批量交付国内行业龙头企业，彻底打破海外长期技术垄断与市场封锁。

此次联合实验室的揭牌，是园区深化产学研融合、补强半导体产业链的重要抓手。未来，园区将持续搭建校企协同创新桥梁，集聚创新资源、激活创新动能，全力推动高端装备国产化进程，为区域产业高质量发展注入源源不断的创新活力。